| 文件标题 | 发布时间 | 文件格式 | 文件大小 |
|---|---|---|---|
| 用电场影响半导体层的结 (gb4728_6_1.6-1).dwg | 2026-03-24 | ||
| 整流结－其他形 (gb4728_6_1.5-1).wmf | 2026-03-24 | ||
| 整流结－其他形 (gb4728_6_1.5-1).dwg | 2026-03-24 | ||
| 新建 文本文档.txt | 2026-03-24 | ||
| 整流结－优选形 (gb4728_6_1.5).dwg | 2026-03-24 | ||
| 整流结－优选形 (gb4728_6_1.5).wmf | 2026-03-24 | ||
| 多处欧姆接触的半导体区 (gb4728_6_1.2-1).wmf | 2026-03-24 | ||
| 多处欧姆接触的半导体 (gb4728_6_1.2-3).dwg | 2026-03-24 | ||
| 多处欧姆接触的半导体 (gb4728_6_1.2-3).wmf | 2026-03-24 | ||
| 多处欧姆接触的半导体区 (gb4728_6_1.2-1).dwg | 2026-03-24 | ||
| 增强型器件的导电沟道 (gb4728_6_1.4).wmf | 2026-03-24 | ||
| 多处欧姆接触的半导体 (gb4728_6_1.2-2).wmf | 2026-03-24 | ||
| 多处欧姆接触的半导体 (gb4728_6_1.2-2).dwg | 2026-03-24 | ||
| 反向效应 (gb4728_6_2.5).dwg | 2026-03-24 | ||
| 反向效应 (gb4728_6_2.5).wmf | 2026-03-24 | ||
| 增强型器件的导电沟道 (gb4728_6_1.4).dwg | 2026-03-24 | ||
| 单向击穿效应 (gb4728_6_2.3).wmf | 2026-03-24 | ||
| 双向击穿效应 (gb4728_6_2.4).dwg | 2026-03-24 | ||
| 双向击穿效应 (gb4728_6_2.4).wmf | 2026-03-24 | ||
| 单向击穿效应 (gb4728_6_2.3).dwg | 2026-03-24 |