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GB/T 45716.1-2026半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
| 发布用户：筑灵网 | 发布时间：2026-06-11 |
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资料描述：
GB/T 45716.1-2026半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（下载时遇到问题请联系客服+V：a18232179)