GB/T 48164.1-2026半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 - 筑灵网、工程师、规范标准查询、职业成长

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GB/T 48164.1-2026半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法

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发布时间：2026-11-09

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GB/T 48164.1-2026半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法